MEMORIAS CUASI INFINITAS

Una tecnología 10 veces más barata y 1000 veces más eficiente que los discos duros flash está en pleno desarrollo en distintas partes del mundo. Esta memoria permitiría que una persona grabe en video toda su vida y le sobre espacio para datos adicionales. La memoria de los computadores tiene limitaciones físicas para seguir escalando en miniaturización. Por ejemplo la memoria DRAM tiene una carga mínima fija que se debe almacenar en el condensador, por lo tanto el condensador será el limitante del tamaño global.

La “Metalización de Células Programables” (PMC) es una alternativa que en los siguientes meses ayudara a resolver el problema de capacidad de memoria y tamaño cada vez menor de los dispositivos portátiles.

La nueva tecnología se aleja del clásico almacenamiento de las memorias flash, que realizan el acopio de datos en forma de bits electrónicos como carga, guardando los datos en nanotubos de cobre del tamaño de una partícula viral. Funciona cuando se manipulan a nivel molecular las cargas de las partículas de cobre para tener un registro binario de unos y ceros.

Este tipo de memoria también es conocida como “memoria resistiva”. Los materiales con las que se construyen las memorias tienen al menos dos estados diferentes de resistividad que se utilizan para guardar información. Polímeros, óxidos, moléculas orgánicas simples y otros materiales están siendo investigados.

A escala nanométrica se utilizan las propiedades electroquímicas de ciertos materiales, a los que se llaman electrolitos sólidos. La composición de la memoria está formada por una capa muy fina de un material calcogenido dopado con plata, o bien por un cristal métalo sulfúrico (bien sulfuro de plata, o sulfuro de Cobre) en los cuales los iones metálicos se mueven por la rígida red formada por los iones sulfúricos. Estos cristales son conductores electrónicos e iónicos. Esta capa estará comprendida entre un ánodo de plata y un cátodo de un material inerte, como puede ser por ejemplo el platino. Bajo la influencia de un campo eléctrico la corriente electrónica que fluye desde el cátodo reduce un número equivalente de iones de plata formándose de esta manera un electro depósito rico en metal de Plata justo en el electrolito. La magnitud y la duración de la corriente iónica determinarán la cantidad de Plata que se deposita y de esta manera, la conductividad del camino conductor que se ha formado. Este electro depósito es eléctricamente neutro y estable, no obstante el proceso de formación del mismo se puede hacer al contrario, sin más que aplicar una tensión de polaridad opuesta al metal inerte. La corriente iónica contraria fluiría hasta que el material de plata que se ha inyectado previamente se oxide por completo y se deposite de nuevo en el electrodo que proporciona dicho metal. De esta manera aumenta la resistividad del electrolito otra vez, hasta que se alcanza el valor más alto de resistencia.

Calcógeno se refiere a cuatro elementos químicos en una columna de la tabla periódica: oxígeno, azufre, selenio y telururo. El término se deriva de dos vocablos griegos que significan formadores de metal. Los compuestos de estos elementos se llaman calcogenidos. Algunos metal-calcogenidos, tales como sulfuro de cadmio, selenio de estaño y telururo de zinc, son semiconductores reconocidos de alto rendimiento.

Existen diferentes procesos en estudio para la disolución de material semiconductor, en el Research Center de IBM en Yorktown Heights (estado de Nueva York) han llevado adelante un método que combina un solvente muy fuerte (hidrazina, una molécula compuesta por dos átomos de nitrógeno y dos de hidrógeno) con cantidades iguales de átomos calcógeno y moléculas de metal-calcogenido (azufre y sulfuro de estaño, respectivamente).
La hidrazina no es un buen solvente para los calcogenidos, pero la presencia de los átomos de calcógeno adicionales mejora la solubilidad y permite el control de la composición final y la estructura granular de la película.
Al someterse al calor esta película, la hidrazina y el azufre extra se disocian y evaporan, dejando sólo una capa muy fina de metal-calcogenido sólido con un espesor uniforme de tan sólo 5 nanómetros.
Se ha conseguido luego de centenares de pruebas del nuevo método una movilidad de cargas semejante a la del silicio policristalino, que resultó diez veces superior a cualquier otro material sometido anteriormente a revestimiento por centrifugado y al silicio amorfo.
Esta tecnología da un margen temporal para el desarrollo de dispositivos y equipos cada vez mas pequeños y de mayor capacidad de memoria. En el orden estratégico influye en los desarrollos militares, tecnología satelital, de armas, de espionaje o de entrenamiento.

Aliensombra

http://www.joltivan.com/noticia8432-metalizacion-de-celulas-programables-pmc-vs-discos-duros-flash.html
http://74.125.47.132/search?q=cache:k1KkDVOk-LYJ:linux.org.ar/pipermail/bblug/2007-December/006505.html+metalizacion+de+celulas+programables&hl=es&ct=clnk&cd=3&gl=pe
http://blog.taragana.com/index.php/archive/terabyte-thumb-drive-for-everyone/es/
atc.ugr.es/~ignacio/tesis_manuela.pdf Tesis Doctoral (Se tomaron varios párrafos casi literalmente)
http://electronicosonline.com/noticias/imprimir.php?id=1346_0_1_0
http://www.azonano.com/news.asp?newsID=360